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Toshiba Semiconductor and Storage
| भाग संख्या | ULN2803APG,CN | उत्पादक | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| विवरण | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 5921 pcs | विवरण तालिका | ULN2803APG,CN.pdf |
| वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) | 50V | Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| ट्रांजिस्टर प्रकार | 8 NPN Darlington | प्रदायक डिवाइस पैकेज | 18-DIP |
| शृंखला | - | पावर - मैक्स | 1.47W |
| पैकेजिंग | Tube | पैकेज / प्रकरण | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| दुसरे नाम | ULN2803APG ULN2803APG(5,M) ULN2803APG(CNHZN) ULN2803APG(CNHZN)-ND ULN2803APG(O,M) ULN2803APG(O,N,HZA ULN2803APG(O,N,HZN ULN2803APG(OM) ULN2803APG(OM)-ND ULN2803APG(ONHZA ULN2803APG(ONHZA-ND ULN2803APG(ONHZN ULN2803APG(ONHZN-ND ULN2803APG-ND ULN2803APGCN ULN2803APGONHZN |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 85°C (TA) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | आवृत्ति - संक्रमण | - |
| विस्तृत विवरण | Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP | डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) | - | वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) | 500mA |
| आधार भाग संख्या | ULN280*A |
| FedEx, | www.FedEx.com | $ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है। |
|---|---|---|
| डीएचएल | www.DHL.com | $ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है। |
| यूपीएस | www.UPS.com | $ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है। |
| टीएनटी | www.TNT.com | $ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है। |
