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तोशिबा ने दो 80V एन-चैनल पावर मस्जिद लॉन्च किए

कहा जाता है कि डिवाइस बिजली के अनुप्रयोगों के लिए अनुकूल होते हैं, जहां डेटा सेंटर और संचार बेस स्टेशनों के साथ-साथ मोटर ड्राइव उपकरण में एसी-डीसी और डीसी-डीसी रूपांतरण सहित कम-नुकसान ऑपरेशन महत्वपूर्ण है। mosfets

UH-MOSVIII- एच, तोशिबा जैसे दावों की तुलना में, TPH2R408QM और TPN19008QM दोनों ही 80V उत्पादों की तुलना में ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS (ON)) में लगभग 40% की कमी दर्शाते हैं।

TPN19008QM का RDS (ON) मूल्य 19m max (अधिकतम) है जबकि TPH2R408QM का मूल्य 2.43mΩ है।


कंपनी का कहना है कि उसने डिवाइस संरचना को अनुकूलित किया है, आरडीएस (ओएन) और गेट चार्ज विशेषताओं के बीच व्यापार-बंद को 15% और आरडीएस (ON) और व्यापार प्रभार के बीच 31% तक उत्पादन-शुल्क में सुधार किया है।

मस्जिदों को सतह माउंट पैकेज में रखा गया है और 80V के एक नाली-स्रोत वोल्टेज के लिए रेट किया गया है।

वे 175ºC तक चैनल तापमान पर काम करते हैं।

TPN19008QM को 34A के ड्रेन करंट के लिए रेट किया गया है और इसे 3.3 × 3.3mm TSON पैकेज में रखा गया है जबकि TPH2R408QM को 120A के लिए रेट किया गया है और इसे 5x6mm SOP पैकेज में रखा गया है।