0 Item(s)
0 Item(s)
Electro-Films (EFI) / Vishay
| भाग संख्या | SIHU5N50D-E3 | उत्पादक | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| विवरण | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 107307 pcs | विवरण तालिका | SIHU5N50D-E3.pdf |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5V @ 250µA | वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-251AA |
| शृंखला | - | आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 104W (Tc) | पैकेजिंग | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | दुसरे नाम | SIHU5N50D-E3CT SIHU5N50D-E3CT-ND SIHU5N50DE3 |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | निर्माता मानक लीड टाइम | 20 Weeks |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 325pF @ 100V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 20nC @ 10V | FET प्रकार | N-Channel |
| FET फ़ीचर | - | ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 500V | विस्तृत विवरण | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 5.3A (Tc) |
| FedEx, | www.FedEx.com | $ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है। |
|---|---|---|
| डीएचएल | www.DHL.com | $ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है। |
| यूपीएस | www.UPS.com | $ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है। |
| टीएनटी | www.TNT.com | $ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है। |
