SI4561DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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उत्पाद विवरण

भाग संख्या:	SI4561DY-T1-GE3
निर्माता / ब्रांड:	Electro-Films (EFI) / Vishay
उत्पाद वर्णन	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
डाटा शीट:	SI4561DY-T1-GE3.pdf
RoHs स्थिति	लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
स्टॉक की स्थिति	4724 pcs stock
भेजने का स्थान	हॉगकॉग
शिपमेंट मार्ग	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4724 pcs

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SI4561DY-T1-GE3 के विनिर्देशों

भाग संख्या	SI4561DY-T1-GE3	उत्पादक	Electro-Films (EFI) / Vishay
विवरण	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC	लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा	4724 pcs	विवरण तालिका	SI4561DY-T1-GE3.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	3V @ 250µA	प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SO
शृंखला	TrenchFET®	आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	35.5 mOhm @ 5A, 10V
पावर - मैक्स	3W, 3.3W	पैकेजिंग	Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	दुसरे नाम	SI4561DY-T1-GE3TR SI4561DYT1GE3
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)	लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	640pF @ 20V	गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	20nC @ 10V
FET प्रकार	N and P-Channel	FET फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	40V	विस्तृत विवरण	Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SO
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6.8A, 7.2A	आधार भाग संख्या	SI4561

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डीएचएल	www.DHL.com	$ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है।
यूपीएस	www.UPS.com	$ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है।
टीएनटी	www.TNT.com	$ 35.00 मूल शिपिंग शुल्क क्षेत्र और देश पर निर्भर करता है।

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